压敏电阻应用:压敏电阻的Zv与电路总阻抗(包括浪涌源阻抗Zs)构成分压器,因此压敏电阻的限制电压为V=VsZv/(Zs+Zv)。Zv的阻值可以从正常时的兆欧级降到几欧,甚至小于1Ω。由此可见Zv在瞬间流过很大的电流,北京压敏电阻MOV压敏电压,过电压大部分降落在Zs上,而用电器的输入电压比较稳定,因而能起到的保护作用。图(3)所示特性曲线可以说明其保护原理。直线段是总阻抗Zs,曲线是压敏电阻的特性曲线,两者相交于点Q,即保护工作点,对应的限制电压为V,它是使用了压敏电阻后加在用电器上的工作电压。Vs为浪涌电压,它已超过了用电器的耐压值VL,加上压敏电阻后,用电器的工作电压V小于耐压值VL,从而有效地保护了用电器。不同的线路阻抗具有不同的保护特性,北京压敏电阻MOV压敏电压,从保护效果来看,Zs越大,其保护效果就越好,若Zs=0,即电路阻抗为零,北京压敏电阻MOV压敏电压,压敏电阻就不起保护作用了。图(4)所描述的曲线可以说明Zs与保护特性之间的关系。现在大量使用的"氧化锌"(ZnO)压敏电阻器,它的主体材料有二价元素锌(Zn)和六价元素氧(O)所构成。北京压敏电阻MOV压敏电压
国内压敏电阻应用研究进展:20世纪80年代中期,通过引进技术,我国的ZnO压敏电阻片制造水平得到迅速提高,电位梯度达约18kV/cm,能量吸收能力提高到约100J/cm3(比较高150J/cm。这是我国ZnO压敏电阻片制造水平迅速提高的阶段。随着ZnO压敏电阻片研究的不断深入,逐步将电位梯度提高到近年来的,能量吸收能力也有所提高,逐步满足了500kVMOA的需求,一定程度上满足了GIS-MOA小型化发展的阶段需要。电阻片的残压水平逐步降低,泄漏电流特别是阻性泄漏电流逐步减小,老化荷电率提高,老化特性变好(老化系数KCT接近1,甚至小于1)。由于能量吸收能力提高不多,电阻片规格却越做越大,促进了避雷器心体向单柱式发展。北京压敏电阻MOV压敏电压压敏电阻器称为"突波吸收器",有时也称为“电冲击(浪涌)抑制器(吸收器)”。
全系列贴片压敏电阻,在大尺寸贴片压敏电阻研发上更具技术优势,产品特点:1)矩形,无外包封,适用于混合集成电路或印制线路的外贴元件。2)无引线,尺寸规格系列化,1005[0402]、1608[0603]、2012[0805]、3216[1206]、3225(1210)、4532(1812)、5650(2220)等3)操作温度范围:-55℃~+125℃4)工作电压范围v1ma(dc)=3.3~68v5)具有双向限制特性6)适合esd保护7)漏电流非常小8)寄生电感小、响应速度快(响应时间<0.5ns)9)优良的温度系数10)良好的焊接性能。
压敏电阻的失效模式有三种:一是劣化,表现为泄漏电流增加,压敏电阻电压下降,直至为零。如果过电压引起的浪涌能量过大,超过了所选变阻器限值的承载能力,变阻器抑制过电压时会出现陶瓷爆裂现象。第三种穿孔,如果峰值过电压特别高,压敏电阻的大多数故障模式都会退化。解决方法是在使用变阻器时,将合适的断路器或熔断器串联在变阻器上,以避免短路引起的事故。总之,当变阻器吸收浪涌时,它会崩溃,当电压降低时,它的工作电流会过大,直到烧坏;如果发生爆裂(封装层破裂,引线与陶瓷体分离),电路将断开,导致保护失效;如果短路,它会烧坏。当变阻器的使用环境或湿度过高时,变阻器会恶化(崩溃电压降低),使其工作电流过大,直到烧坏或短路。当变阻器的工作电压超过额定工作电压时,变阻器会劣化(崩溃电压会降低),使其工作电流过大,直到烧坏或短路为止。 区分是电源保护用压敏电阻器,还是信号线、数据线保护用压敏电阻器,它们要满足不同的技术标准的要求。
压敏电阻通流容量(Imax(8/20us))通流容量也称通流量,是指在规定的条件(以规定的时间间隔和次数,施加标准的冲击电流)下,允许通过压敏电阻器上的比较大脉冲(峰值)电流值。一般过压是一个或一系列的脉冲波。实验压敏电阻所用的冲击波有两种,一种是为8/20μs波,即通常所说的波头为8μs波尾时间为20μs的脉冲波,另外一种为2ms的方波。所谓通流容量,即比较大脉冲电流的峰值是环境温度为25℃情况下,对于规定的冲击电流波形和规定的冲击电流次数而言,压敏电压的变化不超过±10%时的比较大脉冲电流值。为了延长器件的使用寿命,ZnO压敏电阻所吸收的浪涌电流幅值应小于手册中给出的产品比较大通流量。然而从保护效果出发,要求所选用的通流量大一些好。在许多情况下,实际发生的通流量是很难精确计算的,则选用2-20kA的产品。如手头产品的通流量不能满足使用要求时,可将几只单个的压敏电阻并联使用,并联后的压敏电压不变,其通流量为各单只压敏电阻数值之和。要求并联的压敏电阻伏安特性尽量相同,否则易引起分流不均匀而损坏压敏电阻。压敏电阻插件封装具有多种引线形式:有直脚、弯脚和F脚等其他特殊引线类型。北京压敏电阻MOV压敏电压
浪涌抑制型:是指用于抑制雷电过电压和操作过电压等瞬态过电压的压敏电阻器。北京压敏电阻MOV压敏电压
压敏电阻材质:**常见的压敏电阻是金属氧化物压敏电阻(MOV, Metal Oxide Varistor),它包含由氧化锌颗粒与少量其他金属氧化物或聚合物间隔构成的陶瓷块,夹于两金属片间。颗粒与邻近氧化物交界处会形成二极管效应,由于有大量杂乱颗粒,使得它等同于一大堆背向相连的二极管,低电压时只有很小的逆向漏电电流,当遇到高电压时,二极管因热电子与隧道效应而发生逆向崩溃,流通大电流。因此,压敏电阻的电流-电压特性曲线具有高度的非线性: 低电压时电阻高、高电压时电阻低。由于主要成份或品牌的不同,金属氧化物压敏电阻有时还可以看到这些名称: ZNR (Zinc-Oxide Non-linear Resistor, 氧化锌非线性电阻)、ZOV (Zinc-oxide Varistor)、CNR (Composite Nonlinear Resistor[2]),TNR (Titanium-oxide based Non-linear Resistor, 氧化钛非线性电阻, 不过也可能是 Toshiba Non-linear Resistor, 东芝公司的非线性电阻等。北京压敏电阻MOV压敏电压
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