由于这种SCR的触发要靠Nwell和Pwell结的击穿来实现,在CMOS工艺中,其击穿电压大约有几十伏,远高于一般器件的栅氧击穿电压,达不到ESD防护的效果,河南BNC接口ESD保护元件封装。因此对于低压CMOS芯片而言,SCR的触发电压需要通过一些方法降低,以满足芯片的保护要求。SCR的高It2使得器件可以以很小的宽度达到芯片的抗ESD要求,因此使用SCR器件可以有效的降低由ESD器件带来的寄生电容,这一点对于RF芯片的ESD设计非常有利。由于这种SCR的触发要靠Nwell和Pwell结的击穿来实现,在CMOS工艺中,其击穿电压大约有几十伏,远高于一般器件的栅氧击穿电压,达不到ESD防护的效果。因此对于低压CMOS芯片而言,SCR的触发电压需要通过一些方法降低,以满足芯片的保护要求。SCR的高It2使得器件可以以很小的宽度达到芯片的抗ESD要求,河南BNC接口ESD保护元件封装,河南BNC接口ESD保护元件封装,因此使用SCR器件可以有效的降低由ESD器件带来的寄生电容,这一点对于RF芯片的ESD设计非常有利。电阻不单独用于芯片的静电保护,它往往用于辅助的静电保护,如芯片***级保护和第二级保护之间的限流电阻。河南BNC接口ESD保护元件封装
静电的危害:对人体:在日常生活中,由于环境干燥、摩擦、穿戴化纤衣物等原因,经常导致身体产生静电,在与金属接触时,会产生疼痛感,给人们带来较大的心理压力。有研究表明,当人体长期处于静电的辐射下时,人会出现精神紧张、焦躁、胸闷等不适症状,影响正常的工作和生活。02对工业:比如在加油站,汽油属于易燃液体,当环境温度升高或出现异常情况时,油品挥发出的可燃蒸汽与空气就会形成性混合物。一旦有火花出现,就可能发生火灾,甚至,而静电放电时则恰恰能够提供火花。由此可见,静电作为能够提供火花的一种点火源,且其隐蔽性、潜在性、随机性和复杂性为油库火灾或危害埋下了重大的安全隐患。河南BNC接口ESD保护元件封装ESD静电保护元件可提供多种封装形式。
ESD防护电路主要采用“过压防护”的原理,通过隔离电路、箝位(限幅)电路、衰减电路、滤波电路等降低ESD冲击电压、限制脉冲电流的大小,使其降低到被保护器件可以承受的程度。ESD脉冲频谱的高频信号特征和高频电路分布参数的严格约束使得在高频电路中防护器件的可选择性很小,在高频电路中进行ESD防护设计的难度增火。ESD脉冲具有持续时间短(ns~数百ns级),能量较低(微焦耳级)的特征,频谱分布在数百KHz到数GHz的范围,其能量主要集中在数MHz到数百MHz的范围内,由于ESD的高频、快速放电特性,其防护电路要求比一般的电浪涌防护电路具有更快的响应速度和良好的高频性能。
防护管一般和被保护电路并联。防护管的串联寄生电感会阻止ESD脉冲泻放到地,降低ESD防护能力。防护管的结电容产生的容抗和被保护电路I/0端口的特征阻抗并联,当防护管的结电容较大时,在高频下的容抗较小,会严重改变接口的的阻抗特性和频谱特性。防护器件的结电容是影响信号质量的主要因素,在高频接口要求防护器件的结电容要尽量小。现在各种电浪涌防护管的结电容要做到很小(小于2pF)还有较大难度,因此现有的防护器件直接用于GHz和Gbps以上的高频接口的ESD防护将对信号质量产生不可容忍的影响。防护器件要具有双极性(双向)防护功能,其响应时间小于ns级时,对ESD脉冲才具有较好的防护效果,响应速度越快其防护效果越好。防护管的箱位电压(或导通电压)低于高频信号峰值电平时也会对高频信号产生限幅效应,箝位电压过高则ESD防护效果差,这增加了较高峰值能量的高频接口的ESD防护电路设计的难度。ESD防护电路的主要功能是尽量在接口位置把ESD脉冲泻放到地。
在ESD设计中,Diode是一种常见的器件。图2为Diode的一种典型应用情况,在VDD相对于VSS发生PositiveESDPulse时,Diode发生雪崩击穿并释放ESD电流,从而保护内部电路不受ESD影响。但由于二极管完全通过雪崩击穿释放ESD电流,在大电流下器件的功耗很大,因此这种模式下二极管的抗ESD能力往往很低,器件的微分电阻也较大;而在VDD相对于VSS发生NegativeESDPulse时,该Diode为正偏并释放ESD电流,由于二极管的正向导通电压很小,此模式下器件的功耗很小,因此其抗ESD能力非常强。由于Diode在正偏和反偏两种状态下的ESD能力差别非常大,因此目前在使用二极管作ESD保护器件时往往会采用非常大的器件面积提升二极管反偏状态下的ESD能力,如此一来,缺点是非常明显的,它增大了ESD器件的面积占用,更为严重的是,对于高频引脚而言,此方式会带来较大的寄生电容,使引脚的频率特性变差。ESD放电具有高频、快速放电特性,对防护器件的响应速度要求较高。河南BNC接口ESD保护元件封装
在ESD设计中,Diode是一种常见的器件。河南BNC接口ESD保护元件封装
ESD是一种常见的近场危害源,可形成高电压,强电场,瞬时大电流,并伴有强电磁辐射,形成静电放电电磁脉冲。·电流>1A,·上升时间~15ns,衰减时间~150ns。ESD静电放电的特点:静电起电的**常见原因是两种材料的接触和分离。**经常发生的静电起电现象是固体间的摩擦起电现象。此外还有剥离起电、破裂起电、电解起电、压电起电、热电起电、感应起电、吸附起电和喷电起电等。物体的静电起电—放电一般具有高电位、强电场和宽带电磁干扰等特点。河南BNC接口ESD保护元件封装
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