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对于做汽车电子硬件设计的工程师来说，ISO7627-2这个标准是***不会陌生，这个测试项目就是电源线瞬态传导抗扰度，只因为电源线瞬态传导抗扰度的这几个测试波形太出名了，分别是波形1，2a，2b，3a，3b，4，5a，5b（如下截图是从ISO7637-2 2004版中截取的，在2011版的ISO7637中波形1和2a这两个的测试脉冲数已经改成500了）。对于从1到4的几个波形，福建P6SMBTVS定制，基本上都是一些时间极短的脉冲，福建P6SMBTVS定制，福建P6SMBTVS定制，虽然正负电压的幅值很高，但是能量很小，基本上电路上不用做太多特殊的防护，单靠一般的电源芯片的电气特性就能防护下来，而对5a，5b波形，就需要做专门的应对了，而应对方法就是增加一个防浪涌的TVS管了。来明电子具有大量常用TVS现货产品。福建P6SMBTVS定制

TVS瞬态抑制二极管失效模式：1：当瞬态脉冲能量大于TVS所能承受能量时会引起TVS器件过电应力损伤，特别是当瞬态能量远远超出TVS所能承受的数倍时会直接导致TVS过电应力烧毁。失效模式为短路。2：当电路中通过的电流太大，可能会造成TVS炸裂，失效模式为开路。这种情况通常为设计时考虑不周全，TVS通流量过小造成的。3：电性能退化当TVS经过成千上万次的标准脉冲冲击后失效，失效模式为短路。这种模式因长时间工作结温持续增大导致（器件内部结构变化、散热能力下降）过热烧毁。上海ATHTVSSMBTVS的钳位电压与流过本体的电流成正比，电流越大，钳位电压也越高。

TVS的瞬态功率一般以8/20us或10/1000us的波形来衡量。8/20us是雷击浪涌的一种波形通常以内阻2欧姆的一个短路电流波形,上升前沿在8uS,峰值电流下降沿1/2处保持在20uS.即充电1KV输出500A的电流波形.现在较多的已经是组合波模式,即短路电流波形为8/20uS,开路电压波形为1.2/50uS..10/1000uS也是一种浪涌波形,以现在执行的标准是短路电流波形与开路电压波形都需要符合前沿时间10uS半值时间1000uS,内阻10欧姆.即充电1KV输出100A的电压及电流波形。

齐纳击穿：齐纳击穿通常发生在掺杂浓度很高的PN结内。由于掺杂浓度很高，PN结很窄，这样即使施加较小的反向电压（5V以下），结层中的电场却很强（可达2.5×105V/m左右）。在强电场作用下，会强行促使PN结内原子的价电子从共价键中拉出来，形成"电子一空穴对"，从而产生大量的载流子。它们在反向电压的作用下，形成很大的反向电流，出现了击穿。显然，齐纳击穿的物理本质是场致电离。采取适当的掺杂工艺，将硅PN结的雪崩击穿电压可控制在8～1000V。而齐纳击穿电压低于5V。在5～8V之间两种击穿可能同时发生。TVS的正向导通特性类似于二极管的正向伏安特性，可通过较大的浪涌电流。

当 PN 结的反向偏压较高时，会发生由于碰撞电离引发的电击穿，即雪崩击穿。存在于半导体晶体中的自由载流子在耗尽区内建电场的作用下被加速其能量不断增加，直到与半导体晶格发生碰撞，碰撞过程释放的能量可能使价键断开产生新的电子空穴对。新的电子空穴对又分别被加速与晶格发生碰撞，如果平均每个电子（或空穴）在经过耗尽区的过程中可以产生大于 1 对的电子空穴对，那么该过程可以不断被加强，**终达到耗尽区载流子数目激增，PN 结发生雪崩击穿。TVS是一种较常用的过压保护器件。福建P6SMBTVS定制

TVS array是将小功率TVS与二极管通过电路设计包封在特定封装内具有特定功能的器件.福建P6SMBTVS定制

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