北京SMEJTVS生产 上海来明电子供应

来明电子成立于2010年，是一家致力于电子元器件服务的供应链整合管理机构，专注为客户提供电子元器件产品及一站式供应链解决方案。我们在业内拥有二十多年的经验，整合了质量的供应链资源，产品包含各类电容产品、二极管、桥堆、场效应管、气体放电管、压敏电阻、保险丝、继电器、晶振、国产芯片等。我们严格筛选生产供应商，制定供应商评估体系，在产品质量、发货速度、售后服务、交货方面进行严格考核，持续为客户提供***产品。所有合作伙伴均通过相关国际质量管理体系认证，拥有专业生产基地和实验室，北京SMEJTVS生产、**的自动化设备生产线，保证产品高标准，北京SMEJTVS生产、高质量，北京SMEJTVS生产、批量化生产。超大功率TVS是采用芯片叠加的方式构成。北京SMEJTVS生产

参数①最大反向漏电流ID和额定反向关断电压VWM。VWM是TVS比较大连续工作的直流或脉冲电压，当这个反向电压加入TVS的两极间时，它处于反向关断状态，流过它的电流应小于或等于其最大反向漏电流ID。②**小击穿电压VBR和击穿电流IRVBR是TVS**小的雪崩电压。25℃时，在这个电压之前，TVS是不导通的。当TVS流过规定的1mA电流（IR）时，加入TVS两极间的电压为其**小击穿电压VBR。按TVS的VBR与标准值的离散程度，可把TVS分为±5%VBR和±10%VBR两种。对于±5%VBR来说，VWM=0.85VBR；对于±10%VBR来说，VWM=0.81VBR。浙江车规TVSTVS是一种过压保护器件，一般用于低压直流电源保护。

系列名**不同的峰值脉冲功率和封装形式①SMAJ、SMBJ、SMCJ、SMDJ表示贴片封装：分别**的峰值脉冲功率为400W、600W、1500W和3000W；②其它系列名表示同轴引线封装：P4KE为400W、P6KE为600W、1.5KE为1500W，SA为500W、3KP为3000W，其余类推（型号名KP或KPA前面的数字表示kW数）。系列名后的数字**击穿电压标称值或反向断态电压值①P4KE、P6KE、1.5KE系列中**击穿电压标称值（VBR）；②其它系列中**反向断态电压值（VRWM）。A表示单向，CA表示双向。注意：SAC（500W）、LCE（1500W）系列是低电容的TVS管，只有单向，没有双向。

PN 结构成了几乎所有半导体功率器件的基础，常用的半导体功率器件如DMOS，IGBT，SCR 等的反向阻断能力都直接取决于 PN 结的击穿电压，因此，PN 结反向阻断特性的优劣直接决定了半导体功率器件的可靠性及适用范围。在 PN结两边掺杂浓度为固定值的条件下，一般认为除 super junction 之外平行平面结的击穿电压在所有平面结中具有比较高的击穿电压。实际的功率半导体器件的制造过程一般会在 PN 结的边缘引入球面或柱面边界，该边界位置的击穿电压低于平行平面结的击穿电压，使功率半导体器件的击穿电压降低。由此产生了一系列的结终端技术来消除或减弱球面结或柱面结的曲率效应，使实际制造出的 PN 结的击穿电压接近或等于理想的平行平面结击穿电压。200W功率的TVS产品一般采用SOD-123或SOD-123FL封装。

引发 TVS 短路的**典型的原因是管芯与内引线组件、底座铜片烧结不良，在烧结界面出现大面积空洞，空洞可能是由于焊料不均匀或粘结界面各层材料玷污、氧化使焊料沾润不良，造成烧焊时焊料与芯片或金属电极没有良好的熔合焊接引起的。空洞面积较大时，电流在烧结点附近汇聚，管芯散热困难，造成热电应力集中，产生局部热点，严重时引起热奔，使器件烧毁。对这些烧毁的器件。进行解剖分析，可以看到有芯片局部较深的熔融:空洞面积较小时，可加速焊料热疲劳，使焊料层会产生疲劳龟裂，引起器件热阻增大，**终导致器件。过热烧毁。TVS的结电容与TVS的功率成正比，相同电压下功率越大，结电容也越大。广东1.0SMBTVSSMAF

TVS的性能优于压敏电阻MOV。北京SMEJTVS生产

要减少 TVS 短路失效，首先应加强 TVS 制造工艺过程的控制，尤其是对烧焊、台面成型、碱腐蚀清洗、掺杂等工艺过程的控制，以减少或消除 TVS 的固有缺陷。例如:国际上采用先进的烧焊工艺已能将空洞面积控制在 10 %以下，采用离子注入掺杂能对掺杂过程进行更好的控制，这些都**提高了 TVS 的可靠性。其次，做到 TVS 的正确选型与安装，比较好对 TVS 进行降额使用，这样可使 TVS 承受的功率较小，使用可靠性**增加。此外，为使 TVS 发生短路失效时对被保护电子设备的影响降到比较低，通常可在 TVS 前串接一条与之匹配的保险丝。北京SMEJTVS生产

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