服务电话：
新闻中心
您当前的位置：首页 > 新闻中心
-
05
2023-03
星期
-
北京高压二极管型号 上海来明电子供应
SiC是制作功率半导体器件比较理想的材料，2000年5月4日，美国CREE公司和日本关西电力公司联合宣布研制成功12.3kV的SiC功率二极管，北京高压二极管型号，其正向压降VF在100A/cm2电流密度下为4.9V。这充分显示了
-
05
2023-03
星期
-
北京肖特基二极管型号 上海来明电子供应
温度系数α如果稳压管的温度变化，它的稳定电压也会发生微小变化，温度变化1℃所引起管子两端电压的相对变化量即是温度系数（单位：%/℃）。一般说来稳压值低于6V属于齐纳击穿，温度系数是负的；高于6V的属雪崩击穿，温度系数是正的，北京肖
-
05
2023-03
星期
-
北京高压二极管型号 上海来明电子供应
变容二极管(VaractorDiodes)又称"可变电抗二极管"，是利用PN结反偏时结电容大小随外加电压而变化的特性制成的。反偏电压增大时结电容减小、反之结电容增大，变容二极管的电容
-
05
2023-03
星期
-
云南空心电感磁珠隔离变压器参数 上海来明电子供应
直流成分是需要的有用信号，而射频RF能量却是无用的电磁干扰沿着线路传输和辐射（EMI）。要消除这些不需要的信号能量，使用片式磁珠扮演高频电阻的角色（衰减器），该器件允许直流信号通过，而滤除交流信号。通常高频信号为30MHz以上，然
-
05
2023-03
星期
-
北京天线接口ESD保护元件参数 上海来明电子供应
电阻衰减网络可以采用图2中(b)的n形结构，北京天线接口ESD保护元件参数，也可以采用T型结构。多阶LC高通滤波器可以获得较好的滤波矩形系数，当滤波器截止频率高于ESD脉冲主能量成分的频率，可以把绝人部分ESD能量滤除，因此在较高
推荐资讯